[发明专利]一种单层交替堆垛的g-C3

摘要

本发明公开了一种单层交替堆垛的g‑C3N4基二维超晶格的制备方法，属于材料合成领域。本发明基于溶剂热产生驱动力促使g‑C3N4的前驱体分子进入层状块体材料的层间隙，并在惰性气氛下低温煅烧聚合形成单层交替堆垛的g‑C3N4基二维超晶格。本发明解决了目前二维范德华异质结或者超晶格合成方法的高能耗、可控性差、合成步骤繁琐等问题；实现了二维晶格材料的层结构的精准调控，主要包括层厚度、层顺序、晶体质量。该方法的合成工艺简单，无繁琐的后处理步骤。本发明方法合成的单层交替堆垛的g‑C3N4基二维超晶格材料可广泛用于物理材料等基础研究领域和能源、环境、医疗等应用领域。

主权项

1.一种单层交替堆垛的g-C