[发明专利]具有气隙的半导体器件以及用于制造其的方法在审
| 申请号： | 201910333656.8 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110718502A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 金赞培;朴相洙;李泰赫 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了具有气隙的半导体器件以及用于制造其的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成第一导电结构；在第一导电结构的两个侧壁上形成包括非共形牺牲间隔件层的多层间隔件；形成与第一导电结构相邻的第二导电结构，其间具有多层间隔件；通过去除非共形牺牲间隔件层来形成气隙；形成覆盖第二导电结构和气隙的覆盖层；通过刻蚀覆盖层来形成暴露第二导电结构的顶表面的开口；以及在开口中形成耦接至第二导电结构的导电焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 导电结构 半导体器件 多层间隔 间隔件层 共形 气隙 开口 刻蚀覆盖层 导电焊盘 顶表面 覆盖层 侧壁 衬底 耦接 制造 暴露 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：/n在衬底之上形成第一导电结构；/n在所述第一导电结构的两个侧壁上形成包括非共形牺牲间隔件层的多层间隔件；/n形成与所述第一导电结构相邻的第二导电结构，其间具有所述多层间隔件；/n通过去除所述非共形牺牲间隔件层来形成气隙；/n形成覆盖所述第二导电结构和所述气隙的覆盖层；/n通过刻蚀所述覆盖层来形成暴露所述第二导电结构的顶表面的开口；以及/n在所述开口中形成耦接至所述第二导电结构的导电焊盘。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910333656.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
