[发明专利]忆阻重构的近红外可调穿透深度生物传感器及方法有效

专利信息
申请号: 201910333435.0 申请日: 2019-04-24
公开(公告)号: CN110057782B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 蒋向东;郭瑞康;董湘;王继岷;李伟 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01N21/41 分类号: G01N21/41;G01N21/552
代理公司: 长沙楚为知识产权代理事务所(普通合伙) 43217 代理人: 李大为;陶祥琲
地址: 610054 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供一种忆阻重构的近红外可调穿透深度生物传感器及方法,传感器包括:棱镜单元、第一非导电介质薄膜层、金属薄膜层、第二非导电介质薄膜层及导电介质薄膜层;其中:棱镜单元用于产生ATR衰减倏逝波;第一非导电介质薄膜层、金属薄膜层、第二非导电介质薄膜层构成传感单元,用于实现基本传感功能;金属薄膜层、第二非导电介质薄膜层及导电介质薄膜层构成忆阻单元;还设置加电压装置,用于对忆阻单元施加偏置电压实现红外忆阻重构。本发明还提供上述传感器的制备方法及穿透深度调谐方法。本发明生物传感器的传感单元所产生的穿透深度在忆阻单元在加偏置电压时进行动态改变,实现穿透深度的调谐,在探测未知材料生物体时能明显提高其分辨率。
搜索关键词: 忆阻重构 红外 可调 穿透 深度 生物 传感器 方法
【主权项】:
1.一种忆阻重构的近红外可调穿透深度生物传感器,其特征在于,包括:棱镜单元及依次设置在棱镜单元底部的第一非导电介质薄膜层、金属薄膜层、第二非导电介质薄膜层及导电介质薄膜层;其中:所述棱镜单元,用于在红外光的入射激励下产生ATR衰减倏逝波;所述第一非导电介质薄膜层、金属薄膜层、第二非导电介质薄膜层构成传感单元,第一非导电介质薄膜层与第二非导电介质薄膜层形成对称环境,所述传感单元用于实现长程表面等离子体共振效应,从而实现SPR传感器的基本传感功能;同时,金属薄膜层、第二非导电介质薄膜层及导电介质薄膜层构成忆阻单元;忆阻单元中:金属薄膜层作为第一电极,导电介质薄膜层作为第二电极,两电极形成相互垂直的CROSSBAR结构,第一电极与第二电极电连接,并在连接电路上设置加电压装置,所述加电压装置用于对忆阻单元施加正向或负向偏置电压,实现红外忆阻重构。
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