[发明专利]具有电荷补偿和动态偏置的半导体激光器电路及计算方法在审

专利信息
申请号: 201910326333.6 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN110148883A 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 朱铁柱;杜环利;季仁东;张宇林;王晓燕;于银山;赵正敏;王珣;杨玉东;曹书群;张文慧 申请(专利权)人: 淮阴工学院
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 223005 江苏省淮安市洪泽区东七街三号高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种具有电荷补偿和动态偏置的半导体激光器电路及计算方法,所述半导体激光驱动电路具有电荷补偿和动态偏置作用,所述驱动电路中通过设置的动态偏置电路减少发送数据翻转时输出节点翻转的电压差,设置补偿电容以减小发送数据翻转时开关管栅极到节点输出节点的耦合电容效应,二者的结合实现减少了发送数据时开关管开启与关断的过渡时间。本发明还是通过调制电流的快速开启和关断,提高了半导体激光器驱动电路的驱动和控制能力。
搜索关键词: 电荷补偿 动态偏置 翻转 半导体激光器 电路 驱动电路 输出节点 关断 半导体激光器驱动 动态偏置电路 耦合电容效应 半导体激光 开关管栅极 补偿电容 调制电流 控制能力 快速开启 电压差 开关管 减小 驱动
【主权项】:
1.一种具有电荷补偿和动态偏置的半导体激光器电路,其特征在于:所述电路包括驱动电路、电荷补偿电路和动态偏置电路,所述电路的发送端信号TX+、TX‑分别经过反相放大器IV1、IV2及IV3、IV4两级放大后,TX+信号和电容C1负极、晶体管M1的栅极与晶体管M6栅极连接,TX‑信号和电容C2正极、晶体管M2的栅极和晶体管M5的栅极连接;晶体管M1和晶体管M2源极分别接地,晶体管M1漏极连接电容C1的正极、晶体管M5的漏极与晶体管M3的源极,晶体管M2的漏极连接电容C2的负极、晶体管M6的漏极与晶体管M4的源极;晶体管M3与晶体管M4的栅极接偏置电平VM,晶体管M3的漏极接晶体管M11的漏极,晶体管M4的漏极接晶体管M12的漏极,晶体管M11与晶体管M12的栅极连接偏置电平VP1,晶体管M11和晶体管M12的源极连接电源电压VCC;晶体管M5的源极接晶体管M9的源极与晶体管M8的漏极,晶体管M6的源极接晶体管M7的漏极和晶体管M10的源极,晶体管M7与晶体管M8的栅极连接偏置电压VN1,晶体管M7与晶体管M8的源极接地,晶体管M9与晶体管M10的栅极连接偏置电压VM,晶体管M9与晶体管M10的漏极连接电源电压VCC。
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