[发明专利]高阶光栅光电器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910322200.1 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN110007399A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 黄海 | 申请（专利权）人： | 深圳海明光芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/136;G02B6/13;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 王泽云 |
| 地址： | 510645 广东省深圳市福田区园岭*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种高阶光栅光电器件，其包括两个或两个以上的单模半导体激光器，单模半导体激光器为叠层外延结构。波导层被构造为脊波导结构，在脊波导结构上形成有高阶光栅结构；在脊波导结构的脊顶上形成有欧姆接触层；在欧姆接触层的上表面的第一区域以及脊波导结构的侧面之上覆盖有绝缘层；在欧姆接触层的上表面的第二区域以及绝缘层之上覆盖有电极，其中第二区域为欧姆接触层的上表面中未覆盖绝缘层的区域。本发明能够利用紫外接触式光刻制造可实现密集波分复用的频率通道间隔均匀的半导体激光器阵列，从而大幅降低了可用于密集波分复用和芯片上并行光互连数据传输的光源的制造成本，并使其制造工艺得以简化。 | ||
| 搜索关键词： | 脊波导结构 欧姆接触层 上表面 高阶 绝缘层 单模半导体激光器 密集波分复用 光栅 第二区域 光电器件 半导体激光器阵列 覆盖绝缘层 接触式光刻 第一区域 光栅结构 间隔均匀 频率通道 数据传输 外延结构 制造成本 制造工艺 波导层 光互连 电极 叠层 脊顶 可用 覆盖 光源 制造 并行 芯片 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种高阶光栅光电器件，其包括两个以上的单模半导体激光器，所述单模半导体激光器为叠层外延结构，其包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底之下的第一电极；形成于所述半导体衬底上表面与衬底同种极性掺杂的限制层；形成于所述与衬底同种极性掺杂的限制层之上的有源层；形成于所述有源层之上的与衬底异种极性掺杂的限制层；以及形成于所述与衬底异种极性掺杂的限制层之上的波导层；其特征在于，所述波导层被构造为脊波导结构，在所述脊波导结构上形成有高阶光栅结构；在所述脊波导结构的脊顶上形成有欧姆接触层；在所述欧姆接触层的上表面的第一区域以及所述脊波导结构的侧面之上覆盖有绝缘层；在所述欧姆接触层的上表面的第二区域以及所述绝缘层之上覆盖有第二电极，其中所述第二区域为所述欧姆接触层的上表面中未覆盖所述绝缘层的区域，所述高阶光栅光电器件是利用紫外接触式光刻产生的，并且能够产生频率通道间隔均匀的激光，从而实现密集波分复用。
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