[发明专利]提高超高频RFID标签芯片最大工作场强的电路及方法有效

专利信息
申请号: 201910319874.6 申请日: 2019-04-19
公开(公告)号: CN110070166B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 梅年松;张钊锋 申请(专利权)人: 中国科学院上海高等研究院
主分类号: G06K19/07 分类号: G06K19/07
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 顾正超
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种提高超高频RFID标签芯片最大工作场强的电路及方法,该电路包括:天线,用于收发无线交流信号;电容阵列,包括n个并联的电容支路,用于在迟滞比较器阵列输出的控制信号控制下选择性接通某一电容支路以改变电路的阻抗;交流‑直流转换器,用于将所述天线接收的无线信号转换为直流电压VDD供给标签芯片工作;电压检测网络,通过检测流过泄流电路电流大小检测直流电压VDD,得到n+1个输出电压;迟滞比较器阵列,用于将所述电压检测网络的n+1个电压输出进行比较以输出n个控制信号至所述电容阵列,通过本发明,可实现RFID标签芯片的最大工作场强的提高。
搜索关键词: 提高 超高频 rfid 标签 芯片 最大 工作 场强 电路 方法
【主权项】:
1.一种提高超高频RFID标签芯片最大工作场强的电路,包括:天线,用于收发无线交流信号;电容阵列,包括n个并联的电容支路,用于在迟滞比较器阵列输出的控制信号控制下选择性接通某一电容支路以改变电路的阻抗;交流‑直流转换器,用于将所述天线接收的无线信号转换为直流电压VDD供给标签芯片工作;电压检测网络,通过检测流过泄流电路电流大小检测直流电压VDD,得到n+1个输出电压;迟滞比较器阵列,用于将所述电压检测网络的n+1个电压输出进行比较以输出n个控制信号至所述电容阵列。
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