[发明专利]薄膜太阳能电池组件的热层压方法在审
申请号: | 201910319153.5 | 申请日: | 2019-04-19 |
公开(公告)号: | CN111863990A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 彭侃;张明洋 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0445;H01L31/18;B32B37/10;B32B37/06;B32B37/00 |
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地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请涉及一种薄膜太阳能电池组件的热层压方法,包括以下步骤:将待层压的薄膜太阳能电池组件传输进入层压设备的第一层压装置,其中,在此过程中,控制所述第一层压装置的温度低于所述待层压的薄膜太阳能电池组件中的粘结层发生交联反应的温度;闭合层压设备,将所述待层压的薄膜太阳能电池组件移送至层压设备的第二层压装置;利用所述第二层压装置对所述待层压的薄膜太阳能电池组件加热,并对所述待层压的薄膜太阳能电池组件施压以进行热层压。采用本申请的热层压方法,保证了在进行热层压之前粘结层不会发生反应或收缩变形,从而避免了层压后的产品中残留气泡、产生褶皱的问题,提升了太阳能电池组件的产品质量。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 组件 层压 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的