[发明专利]用于集成电路的子器件场效应晶体管架构在审
| 申请号： | 201910317658.8 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110858264A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 常润滋 | 申请（专利权）人： | 马维尔国际贸易有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/39;G06F115/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;郭星 |
| 地址： | 巴巴多斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及用于集成电路的子器件场效应晶体管架构。本公开描述了用于集成电路的子器件场效应晶体管架构的各个方面。在一些方面中，集成场效应晶体管(FET)用多个FET子器件实现。在操作期间，集成FET的源极侧FET子器件可以在线性区中而不是饱和区中操作。在线性区中操作，集成FET的源极侧FET子器件可以表现出比在饱和中操作的其他漏极侧FET子器件低的阈值电压或电流灵敏度。集成FET的器件布局可以被设计成使得较不敏感的源极侧FET子器件包围或者保护其他较敏感的漏极侧子器件免受器件布局的边缘处的随机变化或密度问题。通过这样做，集成FET的阈值电压或电流灵敏度可以被降低，从而改善集成FET器件之间的匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 器件 场效应 晶体管 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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