[发明专利]一种基于近红外低相干光掺杂硅晶片表面形貌测量方法在审
| 申请号： | 201910303334.9 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN109916347A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 于连栋;闫新宇;程杰;卞点;陆洋 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | G01B11/30 | 分类号： | G01B11/30 |
| 代理公司： | 北京市科名专利代理事务所(特殊普通合伙) 11468 | 代理人： | 陈朝阳 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于硅晶片测量领域，公开一种基于近红外低相干光掺杂硅晶片表面形貌测量方法，其特征在于，包括如下步骤，1）选取近红外宽带光源的测量装置；2）搭建出具有可移动参考臂和测量臂的迈克尔逊干涉仪，迈克尔逊干涉仪的电路板对步进电机进行控制，从而使参考臂和测量臂之间的光程差渐变，实现对硅晶片待测表面的扫描干涉；3）最后利用近红外相机连续拍摄干涉图，通过算法解调出干涉信息得到需要测量的掺杂硅晶片物理特性。提高了硅晶片测量精度和干涉条纹对比度及表面形貌重构的效率和精度。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂硅 硅晶片 低相干光 晶片表面 形貌测量 参考臂 测量臂 测量 干涉条纹对比度 迈克尔逊干涉仪 红外宽带光源 迈克尔逊干涉 电路板 近红外相机 表面形貌 步进电机 测量领域 测量装置 连续拍摄 物理特性 干涉图 光程差 可移动 重构的 干涉 渐变 调出 晶片 算法 扫描 | ||
【主权项】：
1.一种基于近红外低相干光掺杂硅晶片表面形貌测量方法，其特征在于，包括如下步骤，1）选取近红外宽带光源的测量装置；2）搭建出具有可移动参考臂和测量臂的迈克尔逊干涉仪，迈克尔逊干涉仪的电路板对步进电机进行控制，从而使参考臂和测量臂之间的光程差渐变，实现对硅晶片待测表面的扫描干涉；3）最后利用近红外相机连续拍摄干涉图，通过算法解调出干涉信息得到需要测量的掺杂硅晶片物理特性。
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