[发明专利]一种电场辅助原子力显微镜纳米刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910301623.5 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110171800A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 刘增磊;高爱莲 | 申请（专利权）人： | 刘增磊 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 473004 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开一种通过施加电流实现原子力显微镜(AFM)纳米刻蚀的方法。通过向AFM针尖和基底施加一定电流并控制电流的大小，由于针尖和样品之间存在较大的接触电阻，因此产生一定的焦耳热，在基底上形成刻蚀。该方法可用于加工纳米沟痕、裁剪纳米材料等操作。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 原子力显微镜 针尖 基底 电场辅助 接触电阻 控制电流 纳米材料 施加电流 焦耳热 沟痕 可用 裁剪 施加 加工 | ||
【主权项】：
1.一种基于原子力显微镜电场加工的纳米刻蚀方法，其特征是：利用焦耳热引起纳米材料的融化实现刻蚀加工的效果。
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