[发明专利]一种三维等离子纳米复合结构及其制备方法和应用有效
申请号: | 201910285735.6 | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN110190141B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 李明钰;刘思思;余慕妮;苏东;姜胜林;张光祖 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/08;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 曹葆青;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种三维等离子纳米复合结构及其制备方法和应用,结构包括:铝反射层,氧化铝阵列支架,以及金纳米天线。氧化铝阵列支架设置于铝反射层上;金纳米天线设置于氧化铝阵列支架的与铝反射层相对的一侧表面。为防止入射光的溢出,本发明引入铝反射层和氧化铝阵列共振腔,结合强光干涉效果的铝反射层和氧化铝阵列共振腔及强表面等离子效应的自组装金纳米天线的优势,通过反射层、氧化铝阵列支架和金纳米天线的耦合作用,可将光波有效钳制于纳米复合结构表面,实现入射光波的反复利用,有效提升光敏感层的光利用率,突破了传统光探测材料光吸收率的限制。 | ||
搜索关键词: | 一种 三维 等离子 纳米 复合 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种三维等离子纳米复合结构,其特征在于,包括:铝反射层,氧化铝阵列支架,以及金纳米天线;所述氧化铝阵列支架设置于所述铝反射层上;所述金纳米天线设置于所述氧化铝阵列支架的与所述铝反射层相对的一侧表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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