[发明专利]晶圆表面处理方法、装置、存储介质及光刻机在审
| 申请号： | 201910285732.2 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN111812945A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈韦年 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提供晶圆表面处理方法、装置、存储介质及光刻机，晶圆表面处理方法包括：获取多个温度值，温度值为利用通过温度传感器测量得到的、位于温度传感器上方的晶圆区域的温度值，获取多个温度值；基于多个温度值，确定晶圆区域中的待处理晶圆区域的位置，待处理晶圆区域为晶圆的表面具有残留液体的区域；去除待处理晶圆区域的残留液体。本发明能够及时检测出晶圆表面具有残留液体的区域，及时将残留液体去除，且方法简单有效。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 方法 装置 存储 介质 光刻 | ||
【主权项】：
暂无信息
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