[发明专利]一种高质量石墨烯薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201910283760.0 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109850879A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 管文水;高永平;王超群 | 申请（专利权）人： | 信阳学院 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 464000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明型公开了一种高质量石墨烯薄膜及其制备方法，制备过程包括：（1）利用固体小颗粒聚苯乙烯做碳源；（2）在通过CVD的方法制在铜箔基底表面吸附成核形成石墨烯；（3）将铜箔用腐蚀液刻蚀掉，然后再将石墨烯转移到任意的SiO2/Si基底或者玻璃基底上得到单层大面积石墨烯。本发明所用原料易得，技术成熟，成本较低，制备周期短，操作过程简单易控，制得的石墨烯具有优异的纯度，较好的机械性能、柔性、导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 石墨烯薄膜 铜箔 制备 机械性能 聚苯乙烯 大面积石墨烯 导电性 腐蚀液刻蚀 固体小颗粒 操作过程 基底表面 制备过程 制备周期 玻璃基 成核 单层 基底 吸附 成熟 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯薄膜，其特征在于：通过CVD法制备，获得的石墨烯薄膜具有优异的纯度，较好的机械性能和较高的柔性及导电性，制备过程简单。
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