[发明专利]晶体管装置和制造晶体管装置的方法有效
| 申请号： | 201910278472.6 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN110346628B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | S·莱森海默 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R15/20 | 分类号： | G01R15/20;G01R19/00;H01L23/58;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管装置。在一些实施例中，磁场传感器芯片(11)安装在晶体管芯片(12)的负载电极上。在其他实施例中，两个磁场传感器布置在晶体管芯片的负载电极上，使得当电流流过晶体管芯片时，两个磁场传感器测量不同的有效磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管装置(13；34；35；43；54；62；71；94；105；111；121；152)包括：晶体管芯片(10；20)，具有第一负载电极(21)和第二负载电极(22)；以及磁场传感器芯片(11；30；32；60；90；100；110；120；150)，具有至少一个磁场传感器(31；33；40；50A；50B；61A；61B)，其中，所述磁场传感器芯片(11；30；32；60；90；100；110；120)安装在所述第二负载电极(22)上。
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