[发明专利]晶体管装置和制造晶体管装置的方法

权利要求书

1.一种晶体管装置包括：

晶体管芯片（10；20），具有第一负载电极（21）和第二负载电极（22）；以及

磁场传感器芯片（11；30；32；60；90；100；110；120；150），具有至少一个磁场传感器（31；33；40；50A；50B；61A；61B），其中，所述磁场传感器芯片（11；30；32；60；90；100；110；120）安装在所述第二负载电极（22）上，

其中，所述磁场传感器芯片（100；120）包括用于所述晶体管芯片（10；20）的驱动器电路（102）、诊断电路（103）和/或保护电路（104），

其中，所述驱动器电路（102）被配置为，产生用于所述晶体管芯片的晶体管（151）的脉宽调制的控制信号（VGate），并且其中所述磁场传感器芯片包括评估电路（153），所述评估电路被配置为，基于在通过所述脉宽调制的控制信号（VGate）接通所述晶体管（151）时由所述至少一个磁场传感器（31）中的一个磁场传感器测量的第一磁场和在通过所述脉宽调制的控制信号（VGate）断开所述晶体管（151）时由所述至少一个磁场传感器（31）中的所述一个磁场传感器（31）测量的第二磁场之间的差，产生对所述第一负载电极（21）和所述第二负载电极（22）之间的电流进行指示的信号（BI），其中，通过所述第一磁场与所述第二磁场之间的差，由所述评估电路（153）求出杂散场。

2.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述磁场传感器芯片（90；100；110；120）包括用于所述至少一个磁场传感器（31；33；40；50A；50B；61A；61B）的驱动器电路（92）和/或处理电路（93）。

3.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述评估电路（153）被配置为，为所述驱动器电路（102）提供脉宽调制信号（PWM）。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体管装置，其中，所述至少一个磁场传感器（31；33；40；50A；50B；61A，61B）包括垂直霍尔传感器或横向霍尔传感器。

5.根据权利要求1所述的晶体管装置，其中，所述至少一个磁场传感器（31；33；40；50A；50B；61A，61B）包括第一磁场传感器（61A）和第二磁场传感器（61B），其中，所述磁场传感器芯片（60；110；120）设置在所述第二负载电极（22）上，使得所述第一磁场传感器（61A）和所述第二磁场传感器（61B）在电流流过所述晶体管芯片（10；20）时测量不同的磁场。

6.根据权利要求5所述的晶体管装置，

其中，所述第一磁场传感器（61A）和所述第二磁场传感器（61B）具有相同的灵敏度方向，

其中，所述第一磁场传感器（61A）和所述第二磁场传感器（61B）布置成，使得由流过所述晶体管装置的电流引起的磁场与所述第一磁场传感器（61A）的位置处的灵敏度方向之间的角度（α1）不同于由流过所述晶体管装置的电流引起的磁场与所述第二磁场传感器（61B）的位置处的灵敏度方向之间的角度（α2）。

7.根据权利要求5或6所述的晶体管装置，还包括：连接到所述第二负载电极（22）的电连接（23；70），其中，所述磁场传感器芯片（60；110；120）被布置成，使得所述第一磁场传感器（61A）布置在所述电连接（23；70）和所述第二负载电极（22）之间的间隙中，并且所述第二磁场传感器（61B）布置在所述间隙的外部。

8.根据权利要求7所述的晶体管装置，其中，所述电连接包括接合线（23）或金属夹（70）。

9.根据权利要求5所述的晶体管装置，还包括：评估电路（80），用于形成所述第一磁场传感器（61A）的输出信号（s1）和所述第二磁场传感器（61B）的输出信号（s2）之间的差，以产生对所述第一负载电极和所述第二负载电极之间的、具有杂散场补偿的电流进行指示的信号。