[发明专利]阵列基板的制造方法和阵列基板有效
| 申请号： | 201910274821.7 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110112072B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 章仟益 | 申请（专利权）人： | 苏州华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开一种阵列基板的制造方法包括：提供一基板，在基板上形成遮光层；在遮光层上设置不同段差的光阻，并对遮光层进行刻蚀；刻蚀完成后，对光阻进行灰化处理，并保留遮光层预设位置上的光阻作为垫底层；在遮光层上依次沉积缓冲层、半导体层、绝缘层、栅极层以及介电层；在介电层上形成第一通孔、第二通孔和第三通孔，第三通孔的位置与预设位置相对应，用于暴露部分遮光层，第一通孔和第二通孔用于暴露部分半导体层；通过第一通孔、第二通孔和第三通孔形成源极和漏极，源极分别通过第二通孔和第三通孔与遮光层和半导体层相连接，漏极通过第一通孔与半导体层相连接；在介电层上形成覆盖源极和漏极的钝化层。本方案可以避免遮光层被刻穿。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一基板，在所述基板上形成遮光层；在所述遮光层上设置不同段差的光阻，并对所述遮光层进行刻蚀；刻蚀完成后，对所述光阻进行灰化处理，并保留所述遮光层预设位置上的光阻作为垫底层；在所述遮光层上依次沉积缓冲层、半导体层、绝缘层、栅极层以及介电层；在所述介电层上形成第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第三通孔的位置与所述预设位置相对应，用于暴露部分所述遮光层，所述第一通孔和所述第二通孔用于暴露部分半导体层；通过所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔形成源极和漏极，所述源极分别通过所述第二通孔和所述第三通孔与遮光层和半导体层相连接，所述漏极通过所述第一通孔与所述半导体层相连接；在所述介电层上形成覆盖所述源极和所述漏极的钝化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州华星光电技术有限公司，未经苏州华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910274821.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
