[发明专利]一种完美吸收体涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910269793.X 申请日: 2019-04-04
公开(公告)号: CN109972090B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 高俊华;臧睿;曹鸿涛;胡海搏 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: C23C14/14 分类号: C23C14/14;C23C14/06;C23C14/35
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 刘诚午
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种完美吸收体涂层,自衬底向外依次包括金属反射层、电介质层、金属纳米线阵列‑陶瓷复合层、金属纳米颗粒‑陶瓷复合层以及电介质减反射层;所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层中,金属纳米线阵列垂直分布在陶瓷相中,金属纳米线的直径不小于3.5nm,高度与所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层的厚度相同,相邻金属纳米线的间距为1~15nm,金属纳米线占所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层的体积百分数为20%~60%;所述金属纳米颗粒‑陶瓷复合层中,金属纳米颗粒弥散均匀分布于陶瓷相中,金属纳米颗粒的直径4~15nm,占所述金属纳米颗粒‑陶瓷复合层的体积百分数为5%~45%。还公开了一种完美吸收体涂层的制备方法。
搜索关键词: 一种 完美 吸收体 涂层 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种完美吸收体涂层,其特征在于,自衬底向外依次包括金属反射层、电介质层、金属纳米线阵列‑陶瓷复合层、金属纳米颗粒‑陶瓷复合层以及电介质减反射层;所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层中,金属纳米线阵列垂直分布在陶瓷相中,金属纳米线的直径不小于3.5nm,高度与所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层的厚度相同,相邻金属纳米线的间距为1~15nm,金属纳米线占所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层的体积百分数为20%~60%;所述金属纳米颗粒‑陶瓷复合层中,金属纳米颗粒弥散均匀分布于陶瓷相中,金属纳米颗粒的直径4~15nm,占所述金属纳米颗粒‑陶瓷复合层的体积百分数为5%~45%。
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