[发明专利]一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法有效
| 申请号： | 201910259033.0 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110061056B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 侯鹏飞;吴禹彤;陈芸;丁晟;宋佳讯;王金斌;钟向丽;郭红霞 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;G11C11/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 411105 湖南省湘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于信息存储技术领域，具体涉及一种新型铁电场效应晶体管单元及其写入和读取方法。包括依次衬底、铁电层、沟道层、左电极、中电极、右电极，铁电层位于衬底和沟道层之间，铁电层两侧分别为左电极和右电极，沟道层两侧分别为中电极和右电极，铁电层为单层或多层的二维层状铁电材料，沟道层为单层或多层的二维层状半导体材料，沟道层材料的载流子迁移率大于铁电层材料的载流子迁移率。本发明降低了现有技术中使用复杂CMOS技术制备铁电场效应晶体管的难度，并且可以应用于柔性电子中，能有效提高铁电晶体管的集成密度、降低功耗，易于实现小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 电场 效应 晶体管 单元 及其 写入 读取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型铁电场效应晶体管单元，依次包括衬底、铁电层、沟道层、左电极、中电极、右电极，其特征在于，所述铁电层位于衬底和沟道层之间，所述铁电层两侧分别为左电极和右电极，所述沟道层两侧分别为中电极和右电极。
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