[发明专利]溅镀靶在审
| 申请号： | 201910242027.4 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110318026A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 挂野崇;久家俊洋 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种溅镀靶，其能够良好地抑制伴随溅镀而产生结核。一种溅镀靶，由In、Zn及O构成，且Zn与In以原子浓度(at％)比计满足0.05≦Zn/(In+Zn)≦0.22，相对密度为98％以上，空孔为2个/10500μm2以下，厚度方向的中心处的体积电阻率为2mΩ·cm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 溅镀靶 体积电阻率 中心处 溅镀 空孔 | ||
【主权项】：
1.一种溅镀靶，其由In、Zn及O构成，且Zn与In以原子浓度(at％)比计满足0.05≦Zn/(In+Zn)≦0.22，相对密度为98％以上，空孔为2个/10500μm2以下，厚度方向的中心处的体积电阻率为2mΩ·cm以下。
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