[发明专利]氮化物半导体发光元件在审
| 申请号： | 201910241913.5 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN110323314A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 大塚匠 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张毅群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在深紫外的波长范围内的n侧接触层与n电极的欧姆接触良好的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件，其是发出深紫外的波长范围的光的氮化物半导体发光元件，其具备：含有Al、Ga和N的n侧接触层；以及设置在该接触层上的n电极，上述n电极自上述n侧接触层侧起依次包含：作为Ti层的第一层、作为含有Si的Al合金层的第二层、以及包含Ta层和W层中的1种以上的第三层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物半导体发光元件 侧接触 波长 欧姆接触 第三层 第一层 合金层 接触层 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其为发出深紫外光的氮化物半导体发光元件，其具备：含有Al、Ga和N的n侧接触层；以及设置在该接触层上的n电极，所述n电极自所述n侧接触层侧起依次包含：作为Ti层的第一层；作为含有Si的Al合金层的第二层；以及包含Ta层和W层中的1种以上的第三层。
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