[发明专利]基于p-n结的高灵敏度光强起伏探测器在审
申请号: | 201910237038.3 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN111755556A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 吕惠宾;郭尔佳;何萌;金奎娟;杨国桢 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/18;G01J1/42 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;李科 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种光强起伏探测器,包括:p‑n结吸收体、分别设置在所述p‑n结吸收体两端的第一电极和第二电极、连接在所述第一电极和所述第二电极之间的可调电源、以及连接在所述第一电极和所述第二电极之间的测压部件,所述可调电源用于给所述p‑n结吸收体提供反向电流,所述测压部件用于监测所述第一电极和所述第二电极之间的电压。该光强起伏探测器专用于探测光强的起伏变化,结构简单、灵敏度高、成本低。 | ||
搜索关键词: | 基于 灵敏度 起伏 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的