[发明专利]一种稀土离子掺杂氯氧化铋半导体材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910236887.7 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109943336B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 宋志国;王莎莎;刘桐;宋亚湃;尹兆益;杨正文;邱建备 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/86 | 分类号： | C09K11/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明公开一种稀土离子掺杂氯氧化铋半导体材料及其制备方法，属于发光材料技术领域。本发明所述半导体材料的通式为Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 稀土 离子 掺杂 氧化 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种稀土离子掺杂氯氧化铋半导体材料，其特征在于：化学通式为Bi0.89‑xHo0.01Yb0.1NdxOCl，0≤x≤0.03。
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