[发明专利]一种单外部驱动的MOSFET管串联高压模块

摘要

本公开揭示了一种单外部驱动的MOSFET管串联高压模块，包括：依次串联的MOSFET管M₁～M_n、栅源极并联均压电阻R_1，1～R_n，1、储能电容C₁、栅极触发电容C₂～C_n、漏源极并联均压电阻R_1，2～R_n，2、外部驱动电路及负载。本公开还揭示了一种基于单外部驱动的MOSFET管串联高压模块的marx发生器。本公开一方面能较好解决传统半导体器件串联中复杂的驱动隔离问题，实现模块小型化；另一方面通过栅极触发电容交错连接，能够较好改善较多器件串联应用时器件导通的乱序问题。

主权项

1.一种单外部驱动的MOSFET管串联高压模块，包括：依次串联的MOSFET管M₁～M_n、栅源极并联均压电阻R_1，1～R_n，1、储能电容C₁、栅极触发电容C₂～C_n、漏源极并联均压电阻R_1，2～R_n，2、外部驱动电路及负载；其中，所述栅源极并联均压电阻R_1，1～R_n，1依次并联连接于所述MOSFET管M₁～M_n的栅极和源极的两端；所述漏源极并联均压电阻R_1，2～R_n，2依次并联连接于所述MOSFET管M₁～M_n的漏极和源极的两端；所述储能电容C₁的一端连接于所述负载，另一端连接于所述MOSFET管M_n的漏极；所述栅极触发电容C₂～C_n依次并联连接于所述MOSFET管M₁～M_n‑1的源极和所述MOSFET管M₂～M_n的栅极；所述外部驱动电路与所述MOSFET管M₁的栅极和源极相连，用于对所述MOSFET管串联高压模块驱动控制；所述负载的一端连接于所述储能电容C₁，另一端连接于所述MOSFET管M₁的源极。