[发明专利]半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910226311.2 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110364564A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 崔训诚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体器件及其制作方法。一种半导体器件包括通过第一元件隔离层分离的第一导电类型的两个晶体管和第二导电类型的两个晶体管。此外，第一导电类型的两个晶体管通过第二元件隔离层彼此分离，并且第二导电类型的两个晶体管通过第三元件隔离层彼此分离。在示例实施例中，第二元件隔离层和第三元件隔离层比第一元件隔离层浅。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离层 晶体管 半导体器件 第一导电类型 元件隔离层 彼此分离 导电类型 第二元件 第一元件 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；第一导电类型的第一杂质区，其在所述衬底上；第二导电类型的第二杂质区，其在所述衬底上以与所述第一杂质区相邻；第二导电类型的第一半导体层，其在所述第一杂质区上；第一导电类型的第二半导体层，其在所述第二杂质区上；第一掩埋绝缘层，其在所述第一半导体层上；第二掩埋绝缘层，其在所述第二半导体层上；第三半导体层，其在所述第一掩埋绝缘层上；第四半导体层，其在所述第二掩埋绝缘层上；第一晶体管和第二晶体管，其分别在所述第一半导体层上；第三晶体管，其在所述第二半导体层上；第一元件隔离层，其分离所述第二晶体管和所述第三晶体管；以及，第二元件隔离层，其分离所述第一晶体管和所述第二晶体管，并且比所述第一元件隔离层浅。
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