[发明专利]一种单向激发表面等离子体波的纳米共振干涉光刻结构在审
| 申请号： | 201910216595.7 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN109828439A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 杨学峰;张书霞;汪舰;鲁忠良;刘振深;贾二广;祝莹莹;凡瑞霞 | 申请（专利权）人： | 河南理工大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 郑州红元帅专利代理事务所(普通合伙) 41117 | 代理人： | 杨妙琴 |
| 地址： | 454000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单向激发表面等离子体波的纳米共振干涉光刻结构，具体为基于单向激发表面等离子体波的超分辨纳米波导共振干涉光刻结构，包括金属薄层、光刻胶层、金属梯形薄层和衬底层。光刻胶层和金属梯形薄层构成了单向激发表面等离子体波的耦合器件，金属薄层、光刻胶层和金属梯形薄层共同构成了基于表面等离子体的金属波导共振腔结构。该光刻结构，获得的纳米光刻图形具有高强度、高分辨率和高均匀性的特点，发展了现有的表面等离子体光刻技术。产生的纳米光刻条纹的深宽比和均匀性相比于现有基于表面等离子体光刻方法提高很多，可以通过改变梯形金属层的厚度和角度来调节在不同光源下对应的金属材料获取高均匀性纳米光刻图形的分辨率及深度。 | ||
| 搜索关键词： | 激发表面等离子体 表面等离子体 干涉光刻 光刻胶层 金属梯形 纳米光刻 共振 薄层 高均匀性 金属薄层 共振腔结构 金属材料 高分辨率 光刻技术 光刻结构 金属波导 纳米波导 梯形金属 耦合器件 超分辨 衬底层 均匀性 深宽比 分辨率 条纹 光刻 光源 | ||
【主权项】：
1.一种单向激发表面等离子体波的纳米共振干涉光刻结构：其特征在于，所述的光刻结构包括金属薄层、光刻胶层、金属梯形薄层和衬底层，所述的光刻胶层和金属梯形薄层构成了单向激发表面等离子体波的耦合器件，所述金属薄层、光刻胶层和金属梯形薄层共同构成了基于表面等离子体的金属波导共振腔结构。
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