[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201910184346.4 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN109888011A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构，包括：衬底和位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层源极区域与漏极区域上的掺杂层；位于所述缓冲层上且位于所述掺杂层之间的第一异质结构；位于所述第一异质结构上的栅极以及位于在所述第一异质结构上且位于所述栅极相对两侧的至少一个异质结构。本申请所提出的半导体结构及其制造方法，通过形成多个异质结构从而形成多条并联的导电沟道，减少了器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结构 半导体结构 缓冲层 掺杂层 衬底 导电沟道 导通电阻 漏极区域 相对两侧 源极区域 并联 制造 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层源极区域与漏极区域上的掺杂层；位于所述缓冲层上且位于所述掺杂层之间的第一异质结构；位于所述第一异质结构上的栅极以及位于在所述第一异质结构上且位于所述栅极相对两侧的至少一个异质结构。
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