[发明专利]三电平二极管退饱和控制的逆导型IGBT驱动方法

摘要

本发明提供了一种三电平二极管退饱和控制的逆导型IGBT驱动方法，先通过高速霍尔传感器电路来检测负载电流，从而判断逆导IGBT的工作模式。然后针对二极管模式，应用FPGA产生‑15，15，0V的三电平控制逻辑，通过设计的驱动电路将三电平控制逻辑转化为栅极电压，来驱动逆导IGBT；针对死区和IGBT模式，采用传统的两电平驱动。本发明判断逆导IGBT工作模式的速度和精度较高，硬件成本低。且本发明能解决二极管导通损耗和动态损耗之间的相互矛盾，更加有效地降低逆导型IGBT的开关损耗，提高驱动的安全性。

主权项

1.一种三电平二极管退饱和控制的逆导型IGBT驱动方法，其特征在于，包括如下步骤：1）检测负载电流，并设置死区，产生负载电流方向信号；2）根据负载电流方向信号和输入到控制器的上、下管PWM信号，判断逆导型IGBT桥臂上下管的工作模式；3）根据逆导型IGBT的工作模式，如果工作在IGBT和死区模式，则控制器施加传统IGBT的控制逻辑，如果工作在二极管模式，则施加控制器的三电平控制逻辑；4）根据控制器的三电平控制逻辑，三电平驱动电路输出三电平栅极电压，控制逆导型IGBT的开关。