[发明专利]基于光刻蚀成型的应变传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910160403.5 申请日: 2019-03-04
公开(公告)号: CN109870114A 公开(公告)日: 2019-06-11
发明(设计)人: 高阳;轩福贞;肖婷;温建锋;沙金;谈建平 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: G01B11/16 分类号: G01B11/16
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陶启长
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种超高灵敏度、加工简单、成本低、寿命长的光刻蚀成型的图案化柔性应变传感器及其制备方法。在一个方面,本发明提供一种光敏PDMS与导电材料的复合物。在一个方面,本发明提供一种应变传感器的制备方法,包括:a)在基材上形成光敏PDMS/导电材料复合物,b)用紫外光经遮光片照射所述复合物,在所述复合物上形成未照射部分和经照射部分,c)移除经照射部分,d)在所述复合物上形成电极,所述电极与所述复合物电连接,和e)在所述复合物上形成柔性保护层。本发明还提供本文所述方法在制备高分辨、高灵敏、可穿戴应变传感器中的用途。
搜索关键词: 复合物 应变传感器 照射 制备 导电材料 光刻蚀 电极 光敏 成型 超高灵敏度 柔性保护层 紫外光 电连接 高分辨 可穿戴 图案化 遮光片 基材 移除 灵敏 加工 制造
【主权项】:
1.一种基于光刻蚀成型的应变传感器的制备方法,包括a)在基材上形成光敏PDMS/导电材料复合物,b)用紫外光经遮光片照射所述复合物,在所述复合物上形成未照射部分和经照射部分,c)移除所述经照射部分,所述未照射部分形成导电层,d)在所述导电层上形成第一保护层,e)移除基材,f)在所述导电层的与所述第一保护层相反的一侧形成一对电极,所述电极与所述导电层电连接,g)在所述导电层及电极上形成第二保护层。
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