[发明专利]侦测晶圆中心与边缘之间聚焦变化量的方法及其补偿方法在审
| 申请号： | 201910159686.1 | 申请日： | 2019-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN110007566A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 杨尚勇;黄永发 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及侦测晶圆中心与边缘之间聚焦变化量的方法，涉及集成电路制造技术，包括：S1：提供一晶圆，晶圆上包括多个切割道；S2：设计多个图形，将多个所述图形分别放置在位于晶圆中心区域的切割道上及位于晶圆边缘区域的切割道上；S3：对步骤S2提供的晶圆进行光刻曝光；以及S4：测量曝光后位于晶圆边缘区域的切割道上的所述图形的尺寸相对于位于晶圆中心区域的切割道上的所述图形的尺寸的变化量，进而得到晶圆中心与边缘之间的聚焦变化量，以在开发初期,提早侦测出晶圆中心与边缘之间的聚焦变化量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆中心 聚焦变化 切割 晶圆 晶圆边缘区域 晶圆中心区域 侦测 集成电路制造技术 光刻曝光 变化量 切割道 测量 曝光 开发 | ||
【主权项】：
1.一种侦测晶圆中心与边缘之间聚焦变化量的方法，其特征在于，包括：S1：提供一晶圆，所述晶圆上包括多个切割道；S2：设计多个图形，将多个所述图形分别放置在位于晶圆中心区域的切割道上及位于晶圆边缘区域的切割道上；S3：对步骤S2提供的晶圆进行光刻曝光；以及S4：测量曝光后位于晶圆边缘区域的切割道上的所述图形的尺寸相对于位于晶圆中心区域的切割道上的所述图形的尺寸的变化量，进而得到晶圆中心与边缘之间的聚焦变化量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910159686.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
