[发明专利]用于抑制热吸收的光掩模基板和光掩模在审
| 申请号： | 201910121990.7 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN110058487A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 河泰中 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/50 | 分类号： | G03F1/50;G03F1/38;G03F1/26;G03F1/52 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光掩模基板和/或光掩模，包括：透光衬底；被设置在所述透光衬底上的高反射材料层；以及被设置在所述高反射材料层上的转移图案层。所述高反射材料层以预设的反射率反射光，以透过所述透光衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 高反射材料 透光 衬底 光掩模基板 光掩模 转移图案层 反射光 反射率 热吸收 预设 | ||
【主权项】：
1.一种光掩模，其包括：透光衬底；以及光屏蔽层图案，其被设置在所述透光衬底上以在光刻工艺期间被转移到晶圆，所述光屏蔽层图案在其中具有暴露出所述透光衬底的沟槽区段。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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