[发明专利]喷嘴板、流体喷射装置及它们的制造方法有效

专利信息
申请号: 201910116519.9 申请日: 2016-06-28
公开(公告)号: CN109910435B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: M·卡塔内奥;L·科罗姆伯;C·L·佩瑞里尼;D·法拉利;A·斯休蒂;L·滕托里 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: B41J2/01 分类号: B41J2/01;B41J2/14;B41J2/16;B29C64/106;B29C64/209;B33Y30/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;吕世磊
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于制造用于喷射流体(6)的装置(1)的方法,包括产生喷嘴板(8)的步骤,产生喷嘴板(8)的步骤包括以下步骤:在第一半导体本体(31,35)中形成具有第一直径(d1)的第一喷嘴空腔(35’;35”);至少部分地在第一喷嘴空腔(35’;35”)中形成亲水层(42);在亲水层上形成结构层(45);蚀刻结构层以形成在流体喷射方向(Z)上与第一喷嘴空腔对准并且具有大于第一直径(d1)的第二直径(d4)的第二喷嘴空腔(48);继续进行对结构层的蚀刻,以用于去除结构层的在第一喷嘴空腔中的部分,以到达亲水层(42)并且被布置成与第一和第二喷嘴空腔流体连通;以及将喷嘴板(8)与用于容纳流体(6)的腔室(10)耦合。
搜索关键词: 喷嘴 流体 喷射 装置 它们 制造 方法
【主权项】:
1.一种流体喷射装置,包括:喷嘴板,所述喷嘴板包括:第一喷嘴空腔,具有第一直径,位于第一半导体本体中;第一亲水层,位于所述第一半导体本体上以及位于所述第一喷嘴空腔的内壁上;在所述第一亲水层上的结构层,所述第一亲水层被定位在所述结构层与所述第一半导体本体之间;以及在所述结构层中的第二喷嘴空腔,所述第一喷嘴空腔和所述第二喷嘴空腔相互流体连通,所述第二喷嘴空腔在流体喷射方向上与所述第一喷嘴空腔对准,并且所述第二喷嘴空腔具有大于所述第一直径的第二直径;以及容纳腔室,被耦合到所述喷嘴板,并且被配置为容纳所述流体使得所述第一喷嘴空腔和所述第二喷嘴空腔与所述容纳腔室流体连接。
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