[发明专利]消除有机硅粗单体水解物不分层和黏附设备现象的方法有效

专利信息
申请号: 201910096039.0 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN109880119B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 伊港;胡庆超;李云杰;国建强;孙江 申请(专利权)人: 山东东岳有机硅材料股份有限公司
主分类号: C08J3/00 分类号: C08J3/00;C08J11/06;C08L83/04
代理公司: 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 代理人: 耿霞
地址: 256401 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及有机硅水解技术领域,具体涉及一种消除有机硅粗单体水解物不分层和黏附设备现象的方法。本发明所述的方法步骤如下:在有机硅粗单体的水解物中加入强碱,搅拌,再加入有机溶剂,升温,回流带水,静置,即实现水油两相分层;所述有机硅粗单体包括有机硅单体、含有两个硅氯键的副产物、含有三个及三个以上硅氯键的单体或低聚物;有机硅单体和含有两个硅氯键的副产物结构通式为R1R2SiCl2,R1和R2为烷基或苯基;水解物为水油不分层的液体状态或黏连状态。本发明的方法操作简单,反应温度低,常压,安全系数高,消除了有机硅粗单体的水解物不分层的现象,并使黏附设备的聚合物脱离设备,解决了装置难以清理的问题。
搜索关键词: 消除 有机硅 单体 水解 分层 黏附 设备 现象 方法
【主权项】:
1.一种消除有机硅粗单体水解物不分层和黏附设备现象的方法,其特征在于:步骤如下:在有机硅粗单体的水解物中加入强碱,搅拌,再加入有机溶剂,升温,回流带水,静置,即实现水油两相分层;所述有机硅粗单体包括有机硅单体、含有两个硅氯键的副产物、含有三个及三个以上硅氯键的单体或低聚物;所述有机硅单体和含有两个硅氯键的副产物结构通式为R1R2SiCl2,R1和R2为烷基或苯基;所述水解物为水油不分层的液体状态或黏连状态。
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