[发明专利]一种柱状同轴圆环纳米结构的制作方法有效
| 申请号： | 201910092384.7 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109941959B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 黄广飞;张渊;胡治朋;朱圣科;刘柳 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 宣国华 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种柱状同轴圆环纳米结构的制作方法，包括在基底表面形成图形刻蚀层的工序；对图形刻蚀层进行处理，在基底表面形成柱状同轴圆环纳米结构的工序；以基底表面的柱状同轴圆环纳米结构为掩膜，对基底进行刻蚀，将结构转移至基底，并去除基底表面结构的工序。该方法快速高效、可大面积制备；成本低廉，加工自由度高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 柱状 同轴 圆环 纳米 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种柱状同轴圆环纳米结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底表面形成图形刻蚀层的工序；对图形刻蚀层进行处理，在基底表面形成柱状同轴圆环纳米结构的工序；以基底表面的柱状同轴圆环纳米结构为掩膜，对基底进行刻蚀，将结构转移至基底，并去除基底表面结构的工序。
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