[发明专利]一种具有双峰泡孔结构的低介电聚芳醚腈泡沫材料、制备方法及用途

摘要

本发明公开了一种具有双峰泡孔结构的低介电PEN泡沫材料及其制备方法，本发明以纳米SiO2作为异相成核剂，通过间歇式超临界流体发泡方式利用PEN本体均相成核和纳米SiO2粒子异相成核共同作用，获得了具有双峰泡孔结构的PEN泡沫材料。大泡孔可以使材料实现有效的降重，极大的降低材料介电常数，小泡孔可以有效的钝化材料受力断裂过程中的裂纹扩散，吸收更多的能量，从而提供较好的力学性能。同时，本发明对特种工程塑料泡沫材料的发展也具有指导性的意义，在电子材料领域的用途进一步扩展。

主权项

1.一种具有双峰泡孔结构的低介电聚芳醚腈泡沫材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)待发泡试样制备以N‑甲基吡咯烷酮为溶剂，将一定量的纳米SiO₂加入溶剂中并超声分散30min；另以N‑甲基吡咯烷酮为溶剂，将一定量的PEN粉末加入溶剂中并在200℃回流搅拌30min使PEN充分溶解；然后将上述两种溶液混合，搅拌并超声30min；之后将溶液倒于洁净的玻璃板表面并流延成膜；并将玻璃板放入烘箱于180℃烘干12h，去除溶剂，待玻璃板自然冷却至室温后浸入水槽，带薄膜自动脱落；将薄膜烘干后，裁剪成尺寸为2.5cm×4cm的长方形薄片试样；2)超临界流体发泡步骤将步骤1)所得试样放置于高压釜中，通入发泡气体并将高压釜温度和压力升至设定值；待PEN试样吸附一定时间后，快速泄压，待压力降为零后取出样品并迅速放入已达设定温度的油浴锅进行发泡，待达到预定发泡时间后将样品取出并迅速放入冰水中冷却定型，获得PEN泡沫材料。