[发明专利]基于光子晶体宽谱全反射器优化的雪崩光电二极管

摘要

本发明公开了一种基于光子晶体宽谱全反射器优化的雪崩光电二极管及其制造方法，该雪崩光电二极管是在正入射式雪崩光电二极管的衬底背面或背入射式雪崩光电二极管的正面，叠层一由多层SiO₂介质膜和TiO₂介质膜交替构成的一维光子晶体宽谱全反射器。该一维光子晶体宽谱全反射器将入射光中的未被吸收层吸收的光反射回雪崩光电二极管中的吸收层再次吸收。相比于现有的雪崩光电二极管，本发明通过增加一维光子晶体宽谱全反射器，使在不影响器件电学特性的同时，例如：不影响器件的频率响应，对于所有光通信波段1310～1675nm的不同角度的入射光，将未被吸收层吸收的光反射回器件进入吸收层进行二次吸收，增加器件的量子效率与响应度，提升器件约50％的性能。

主权项

1.一种基于光子晶体宽谱全反射器优化的雪崩光电二极管，其特征在于，该雪崩光电二极管是在正入射式雪崩光电二极管的衬底背面或背入射式雪崩光电二极管的正面，叠层一由多层SiO₂介质膜和TiO₂介质膜交替构成的一维光子晶体宽谱全反射器。