[发明专利]一种Nandflash命令处理方法、装置、终端及存储介质有效
| 申请号： | 201910089576.2 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110007853B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 周炎钧;赖建东 | 申请（专利权）人： | 镕铭微电子（济南）有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 250100 山东省济南市自由贸易试验区济南片区唐*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Nandflash命令处理方法、装置、终端及计算机可读存储介质，本发明通过将Nandflash闪存的读写命令拆分为若干微命令，使多个微命令能够并行执行，从而提高闪存的读写性能，并提高了闪存利用率，减少闪存的空闲时间，进而解决了现有闪存传输速率较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash 命令 处理 方法 装置 终端 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种Nandflash命令处理方法，其特征在于，包括：接收对Nandflash闪存的读或写命令；将所述读或写命令拆分为若干微命令，以使所述Nandflash闪存在多逻辑单元号LUN上实现并行处理各个微命令；其中，所述微命令为所述Nandflash闪存操作处理的基本命令。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于镕铭微电子（济南）有限公司，未经镕铭微电子（济南）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910089576.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于逻辑区域的流分类
- 下一篇：一种基于时序数据有损压缩方法及系统
