[发明专利]一种GMR/TMR麦克风的制造方法有效
| 申请号： | 201910087106.2 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109819390B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;冷群文 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司;北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 王昭智 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GMR/TMR麦克风的制造方法，包括前道步骤和后道步骤；前道步骤包括在晶圆上依次形成绝缘层、振膜层、永磁体；在晶圆上依次形成牺牲层、第一背板层、GMR/TMR的图案；在第一背板层上形成与GMR/TMR连接的连接线；后道步骤包括：在晶圆上沉积第二背板层；对部分第二背板层、第一背板层进行干法RIE蚀刻，以将部分牺牲层露出；对晶圆的背面进行研磨，并通过DRIE的方式刻蚀背腔；腐蚀牺牲层，以释放振膜层。本发明的制造方法，完全采用沉积、刻蚀的MEMS工艺来制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gmr tmr 麦克风 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GMR/TMR麦克风的制造方法，其特征在于，包括前道步骤和后道步骤；所述前道步骤包括：步骤S100：在晶圆上依次形成绝缘层、振膜层，并在振膜层上形成永磁体的图案；步骤S200：在振膜层上形成覆盖永磁体的保护层，对第一保护层进行刻蚀，形成将部分振膜层露出的孔洞；步骤S300：通过孔洞对部分振膜层进行刻蚀，在振膜层上形成缝隙；步骤S400：在晶圆上依次形成牺牲层、第一背板层；并在第一背板层上形成与永磁体相对的GMR/TMR的图案；步骤S500：在第一背板层上形成与GMR/TMR连接的连接线；所述后道步骤包括：步骤S600：在晶圆上通过ICPCVD的方式沉积第二背板层，其中ICPCVD的沉积温度为50‑250℃；或者在晶圆上通过PECVD的方式沉积第二背板层，其中PECVD的沉积温度为200‑250℃；GMR/TMR与连接线层叠在第一背板层与第二背板层之间；对部分第二背板层、第一背板层进行干法RIE蚀刻，以将部分牺牲层露出；步骤S700：对与连接线对应位置的第二背板层进行RIE蚀刻，以形成将部分连接线露出的缺口；步骤S800：通过Liftoff工艺或者湿法腐蚀的方式在缺口的位置形成与连接线连接的焊盘；步骤S900：对晶圆的背面进行研磨，并通过DRIE的方式刻蚀背腔；步骤S1000：腐蚀牺牲层，以释放振膜层。
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