[发明专利]一种中空MoS2 有效
申请号: | 201910085058.3 | 申请日: | 2019-01-18 |
公开(公告)号: | CN109650450B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
发明(设计)人: | 乔秀清;李东升;侯东芳;赵君 | 申请(专利权)人: | 三峡大学 |
主分类号: | C01G39/06 | 分类号: | C01G39/06;B01J20/02;B01J20/30;B01J27/051 |
代理公司: | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人: | 成钢 |
地址: | 443002 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本发明提供了一种表面多孔结构的大尺寸中空MoS |
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搜索关键词: | 一种 中空 mos base sub | ||
【主权项】:
1.一种中空MoS2微球的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)水热法制备Cu‑α‑Fe2O3微球:将Fe源和六亚甲基四胺溶解于乙醇/水混合溶剂中,搅拌溶解,加入铜源,搅拌一定时间后将溶液转入水热反应釜中进行水热反应,冷却,离心,洗涤,干燥,得到Cu‑α‑Fe2O3;(2)将钼源、硫源溶于去离子水中,与步骤(1)中得到的材料混合均匀,然后加入水热反应釜中,水热反应,冷却、洗涤,离心,干燥,得到复合材料微球;(3)将步骤(2)制备得到的复合材料微球用腐蚀液进行搅拌腐蚀,得到MoS2表面垂直排列的多孔结构的中空MoS2微球。
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