[发明专利]电子器件和形成电子器件的方法有效
| 申请号： | 201910066038.1 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110246894B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 皮特·莫昂;P·范米尔贝克;阿布舍克·班纳吉 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开涉及一种电子器件和形成所述电子器件的方法。电子器件可以包括晶体管。所述晶体管可以包括：第一层，包含第一III‑V材料；第二层，覆盖在所述第一层上面并包含第二III‑V材料；以及第三层，覆盖在所述第一层上面并包含第三III‑V材料。在一个实施方案中，第一层和第二层中的每一者包含Al，并且第二层与第一层相比具有更高的Al含量。在另一个实施方案中，晶体管可以进一步包括：栅极介电层，覆盖在第三层上面；以及所述晶体管的栅极电极，覆盖在栅极介电层和第三层上面。所述晶体管可以是增强型高电子迁移率晶体管。与常规的增强型高电子迁移率晶体管相比，层的构型可以允许实现相对更高的阈值电压而不显著增加R |
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| 搜索关键词： | 电子器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，包括晶体管，所述晶体管包括：第一层，所述第一层包含具有第一Al含量的第一III‑V材料；第二层，所述第二层接触所述第一层并包含具有大于所述第一Al含量的第二Al含量的第二III‑V材料；以及第三层，所述第三层覆盖在所述第一层上面并至少部分地延伸穿过所述第二层，其中所述第三层具有比所述第一层低的Al含量并包含AlzGa(1‑z)N，其中0.00≤z≤0.10。
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