[发明专利]光子集成芯片内矢量涡旋光束辐射器及其应用有效
| 申请号： | 201910061406.3 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109683239B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 金贤敏;陈媛;沈维冠 | 申请（专利权）人： | 上海交大知识产权管理有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/122;G02B6/12;G02B6/26 |
| 代理公司： | 上海锻创知识产权代理有限公司 31448 | 代理人： | 陈少凌 |
| 地址： | 201100 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光子集成芯片内部矢量涡旋光束辐射器及其应用，通过飞秒激光直写技术，即将飞秒激光聚焦在玻璃表面以下，通过扫描能够传输矢量涡旋光的环形波导半径，使之与单模波导达到位相匹配条件，加工出的不对称耦合器用于产生多阶涡旋光模式。本发明制备得到的芯片，能够产生一阶以及二阶涡旋光，转换效率可高达74％。此外，涡旋光本身的高维度及传输、产生以及操控于一体将大幅增加量子态空间，从而潜在的可以通过片上操控超纠缠等方式大幅提升量子计算能力。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 集成 芯片 矢量 涡旋 光束 辐射器 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种不对称耦合器的制备方法，其特征在于，通过飞秒激光直写技术，即将飞秒激光聚焦在玻璃表面以下，通过扫描能够传输矢量涡旋光的环形波导半径，使之与单模波导达到位相匹配条件，加工出的不对称耦合器用于产生多阶涡旋光模式。
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