[发明专利]一种改善电极界面接触性能的方法有效
| 申请号： | 201910053339.0 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109860346B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 范东华;梁胜华;黄吉儿;莫锦权;李炳乾;代福;张云波;徐维 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人： | 吴伟文 |
| 地址： | 529020 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及光电材料技术领域，尤其是一种改善电极界面接触性能的方法，本发明通过在p‑GaN本体表面蒸镀一层厚度为0.1～10nm的钼接触层，然后将其置于pH为2.5±0.05，容量为50ml的铬酸水溶液中，通电腐蚀1～10分钟，然后用氨水和双氧水混合液和盐酸溶液清洗外延片，甩干后立即蒸镀一层厚度为100～200nm的银层。本发明通过在p‑GaN本体表面蒸镀钼层，电化学腐蚀钼层后，会残留有小部分功函数高于5eV的钼的氧化物MoO |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 电极 界面 接触 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善电极界面接触性能的方法，其特征在于：在p‑GaN本体表面蒸镀一层厚度为0.1～10nm的钼接触层，然后将其置于pH＝2.5±0.05，容量为50ml的铬酸水溶液中，通电腐蚀1～10分钟，然后用氨水和双氧水混合液和盐酸溶液清洗外延片，甩干后立即蒸镀一层厚度为100～200nm的银层。
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