[发明专利]基于纳米光刻的荧光光盘信息读写方法及装置有效
| 申请号： | 201910048576.8 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN111462780B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王中阳;张力 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | G11B7/005 | 分类号： | G11B7/005;G11B7/0045 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 陈珊珊 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供基于纳米光刻的光盘信息读写方法及装置，其中，写入方法包括：采用纳米光刻方法进行超高密度光盘存储信息刻写；采用荧光方法进行信息存储；利用双光子吸收特性实现多层光盘信息刻写存储。读取方法则包括：超分辨数字信息读取方法进行光盘信息读取；采用“共焦层析式”读取方法，可实现光盘的多层存储信息读取。本发明有利于缩小信息记录点的尺寸与间距，实现光盘的超高密度信息稳定、长久存储，以及对超高密度光盘存储信息的有效、高速提取。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 光刻 荧光 光盘 信息 读写 方法 装置 | ||
【主权项】：
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