[发明专利]纳米钨掺杂二氧化锡粉体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910048128.8 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109650438A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 贾庆明;刘洋;陕绍云;支云飞;苏红莹 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米钨掺杂二氧化锡粉体的制备方法，该方法是将四氯化锡、偏钨酸铵配制成前驱体溶液，将其装入超声雾化器中，以空气作为载气，载气将雾化液滴通入管式炉中热解，用去离子水收集SnO2:W粉体，将收集到的粉体烘干，在100~1200℃下进行退火0.5~10h，制得纳米钨掺杂二氧化锡粉体；本发明与已有技术相比，制备出的粉体可见光透过率高，红外和紫外的阻隔率高，具有良好的隔热性能，本发明制得球形的粉体，粒径分布均匀，不易团聚；本发明的粉体在太阳能电池材料、半导体气敏及湿敏元件、电子屏幕、透明涂层等诸多领域有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 粉体 掺杂二氧化锡 纳米钨 制备 载气 太阳能电池材料 退火 可见光透过率 超声雾化器 前驱体溶液 电子屏幕 隔热性能 粒径分布 偏钨酸铵 去离子水 湿敏元件 四氯化锡 透明涂层 雾化液滴 通入管 烘干 炉中 热解 半导体 装入 阻隔 团聚 应用 | ||
【主权项】：
1.一种纳米钨掺杂二氧化锡粉体的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将四氯化锡和偏钨酸铵溶解于去离子水制得浓度0.01~2mol/L的前驱体，偏钨酸铵和四氯化锡的摩尔比为1:100～50:100；（2）将步骤（1）前驱体倒入超声雾化器中进行雾化，以空气作为载气，载气将雾化后的液滴带入管式炉中在200℃~1200℃进行热解，用去离子水收集钨掺杂二氧化锡粉体，将收集到的粉体烘干；最后在100~1200℃下退火0.5~10h，冷却后制得纳米钨掺杂二氧化锡粉体。
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