[发明专利]一种高性能铜箔的单机架可逆深冷制备方法有效
| 申请号: | 201910030421.1 | 申请日: | 2019-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN109746270B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
| 发明(设计)人: | 喻海良;罗开广;汤德林 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
| 主分类号: | B21B1/40 | 分类号: | B21B1/40;B21B15/00;B21B45/02;B21B3/00 |
| 代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 段俊涛 |
| 地址: | 410083 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | 一种高性能铜箔的单机架可逆深冷制备方法,将铜箔一端安装到卷取机一上,另一端依次经过左侧导辊、异步轧机、右侧导辊安装到卷曲机二上,卷取机一和卷取机二分别放置在温度为‑192℃~‑100℃的深冷箱中;开启卷取机,使带材形成张力;开启异步轧机机组进行深冷轧制;采用液压装置逐渐增加异步轧机的辊间压力,使轧辊成为负辊缝运行,直到整卷铜箔被轧制完成;转换轧制方向,调换轧机上下辊轧制异速比,重复2‑6次,制备出厚度≤5μm的高导电性能、高强度铜箔产品,铜箔的抗拉强度超过500MPa,该极薄铜箔在锂电池、电子、能源、航天和军事等产业的发展意义重大。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 性能 铜箔 机架 可逆 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高性能铜箔的单机架可逆深冷叠轧分离制备方法,其特征在于,包括如下步骤:第一步:以高导电的铜箔为原料,铜箔的厚度为8μm~12μm,宽度为100mm‑600mm。第二步:将铜箔一端安装到卷取机一上;第三步:铜箔另一端依次经过左侧导辊、异步轧机、右侧导辊安装到卷曲机二上,卷取机一和卷取机二分别放置在温度为‑192℃~‑100℃的深冷箱中;第四步:开启卷取机,使带材形成张力;第五步:开启异步轧机机组进行深冷轧制;第六步:采用液压装置逐渐增加异步轧机的辊间压力,使轧辊成为负辊缝运行,直到整卷铜箔被轧制完成;第七步:转换轧制方向,调换轧机上下辊轧制异速比,重复第四步至第六步;重复第七步2‑6次,制备出厚度≤5μm的高导电性能、高强度铜箔产品,铜箔的抗拉强度超过500MPa。
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