[发明专利]一种高性能铜箔的单机架可逆深冷制备方法

权利要求书

1.一种高性能铜箔的单机架可逆深冷制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步：以高导电的铜箔为原料，铜箔的厚度为8μm～12μm，宽度为100mm-600mm；

第二步：将铜箔一端安装到卷取机一上；

第三步：铜箔另一端依次经过左侧导辊、异步轧机、右侧导辊安装到卷取机二上，卷取机一和卷取机二分别放置在温度为-192℃～-100℃的深冷箱中；

第四步：开启卷取机，使带材形成张力；

第五步：开启异步轧机机组进行深冷轧制，异步轧机轧辊速度V2：V1为1.3～1.5之间；

第六步：采用液压装置逐渐增加异步轧机的辊间压力，使轧辊成为负辊缝运行，直到整卷铜箔被轧制完成；

第七步：转换轧制方向，调换轧机上下辊轧制异速比，重复第四步至第六步；

重复第七步2-6次，制备出厚度≤5μm的高导电性能、高强度铜箔产品，铜箔的抗拉强度超过500MPa。

2.根据权利要求1所述高性能铜箔的单机架可逆深冷制备方法，其特征在于，所述第三步与第四步之间，还在异步轧机进出口位置设置冷却气体和润滑液一体的喷枪，向进出异步轧机的叠合铜箔上下表面喷射含有液氮的冷却气体及专门用于铜箔生产的深冷润滑液。

3.根据权利要求1所述高性能铜箔的单机架可逆深冷制备方法，其特征在于，所述第四步中使带材形成50-200MPa的张力。

4.根据权利要求1所述高性能铜箔的单机架可逆深冷制备方法，其特征在于，所述第六步轧制过程中实现轧件道次压下率在15％-35％。