[发明专利]GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法有效
| 申请号： | 201910027299.2 | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN109830413B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 崔真;王霞;赵娜娜;李恩玲;王少强 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;C23C14/16;C23C14/34;C23C14/58;C23C16/26;C23C16/30;C23C16/44 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 胡燕恒 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法，具体步骤如下：步骤1，对硅衬底镀铂薄膜，然后将镀过铂薄膜的硅衬底进行退火处理，退火结束后自然冷却到室温，得到衬底A；步骤2，将步骤1得到的衬底A与反应源一起进行热处理，衬底A与反应源之间保持一定距离，反应完成后自然冷却到室温，得到衬底B；步骤3，将步骤2得到的衬底B进行热处理，反应完成后自然降温至室温，即得GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料。通过该方法制备得到的GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料具有优良的场发射特性。 | ||
| 搜索关键词： | gan 微米 阵列 石墨 发射 阴极 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1，对硅衬底镀铂薄膜，然后将镀过铂薄膜的硅衬底进行退火处理，退火结束后自然冷却到室温，得到衬底A；步骤2，将步骤1得到的衬底A与反应源一起进行热处理，衬底A与反应源之间保持一定距离，反应完成后自然冷却到室温，得到衬底B；步骤3，将步骤2得到的衬底B进行热处理，反应完成后自然降温至室温，即得GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料。
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