[发明专利]一种钻石线切割半导体硅片的工艺在审
| 申请号： | 201910015468.0 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN109435085A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 常雪岩;韩木迪;苏晓剑;谢艳;刘琦;武卫 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B24B27/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 王晓英 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钻石线切割半导体硅片的工艺，采用钻石线设备对半导体硅片进行切割，在切割过程中，工作台下降速度为1.5‑2.5mm/min，钻石线切割线速为1100‑1400m/min，冷却液流量调节为80‑100L/min，冷却液温度为23‑28℃，钢线单片供线量为0.4‑1.5m/片。本发明所述的钻石线切割半导体硅片的工艺，具有单位公斤出片数提升、产能扩大大等优势，可有效降低现有半导体切磨片、抛光片成本，为大尺寸抛光片产品降本计划奠定有力基础。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体硅片 钻石线切割 抛光片 冷却液流量 切割过程 供线量 冷却液 工作台 产能 出片 单片 钢线 切磨 半导体 切割 钻石 | ||
【主权项】：
1.一种钻石线切割半导体硅片的工艺，采用钻石线设备对半导体硅片进行切割，其特征在于：在切割过程中，工作台下降速度为1.5‑2.5mm/min，钻石线切割线速为1100‑1400m/min，冷却液流量调节为80‑100L/min，冷却液温度为23‑28℃，钢线单片供线量为0.4‑1.5m/片。
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