[发明专利]一种钻石线切割半导体硅片的工艺

权利要求书

1.一种钻石线切割半导体硅片的工艺，采用钻石线设备对半导体硅片进行切割，其特征在于：在切割过程中，工作台下降速度为1.5-2.5mm/min，钻石线切割线速为1100-1400m/min，冷却液流量调节为80-100L/min，冷却液温度为23-28℃，钢线单片供线量为0.4-1.5m/片。

2.根据权利要求1所述的钻石线切割半导体硅片的工艺，其特征在于：钻石线设备为NTC PV系列。

3.根据权利要求1所述的钻石线切割半导体硅片的工艺，其特征在于：半导体硅片的翘曲度小于30μm。

4.根据权利要求1所述的钻石线切割半导体硅片的工艺，其特征在于：钻石线线拱小于5mm。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的钻石线切割半导体硅片的工艺，其特征在于：包括以下步骤：

(1)将半导体用硅单晶用无水乙醇将表面擦拭干净，并将单晶粘到树脂板上，然后再将树脂板粘在料座上，并在室温条件下固化5-24小时；

(2)将固化完毕粘有单晶的料座装到多线切割机上，准备进行工艺参数调节；

(3)将工作台下降速度调节为中心点下降速度1.5-2.5mm/min，保证钻石线线拱小于5mm；

(4)将钻石线切割入刀线速调节为1100-1400m/min，保证入刀切割过程中不会发生弯曲异常；

(5)将出刀冷却液流量调节为80-100L/min，保证出刀时不会因为流量冲击造成异常裂片；

(6)将冷却液温度调节为23-28℃；

(7)将钢线单片供线量调节为0.4-1.5m/片，保证切割后的硅片整体几何参数无异常；

(8)工艺调节完毕，开始运行多线切割机进行单晶切割过程。

6.根据权利要求5所述的钻石线切割半导体硅片的工艺，其特征在于：所述工作台下降速度为1.53mm/min，钻石线切割线速为1200m/min，冷却液流量调节为95L/min，冷却液温度为24℃，钢线单片供线量为0.63m/片。

7.根据权利要求5所述的钻石线切割半导体硅片的工艺，其特征在于：还包括在切割之后对硅片表面进行清洁处理的步骤。

8.根据权利要求7所述的钻石线切割半导体硅片的工艺，其特征在于：切割之后对硅片表面进行清洁处理的方法包括以下步骤：

S1:切割完毕后，卸载料座，用纯水将表面的硅粉冷却液混合物冲洗干净；

S2:将冲洗干净的硅片进行去胶处理，去胶后的硅片放在清洗液中进行表面洁净处理。

9.根据权利要求8所述的钻石线切割半导体硅片的工艺，其特征在于：步骤S1中，用2兆欧的纯水将表面的硅粉冷却液混合物冲洗干净；步骤S2中，将冲洗干净的硅片放在釜川超声波自动脱胶机上进行去胶，去胶完毕后的硅片放在碱性清洗液中进行表面洁净处理。

10.根据权利要求8所述的钻石线切割半导体硅片的工艺，其特征在于：碱性清洗液为氢氧化钠和氢氧化钾按质量比1:2的混合液。