[发明专利]磁电阻随机存储单元、存储器和存取方法在审
申请号: | 201880095811.0 | 申请日: | 2018-11-15 |
公开(公告)号: | CN112514090A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 许俊豪;杨欢 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08 |
代理公司: | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人: | 钞朝燕;王君 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种磁电阻随机存储单元(20)和磁电阻随机存储器,能够提高存储器的读写速度。该磁电阻随机存储单元(20)包括:具有固定磁矩的固定铁磁层(21);具有可翻转的磁矩的自由铁磁层(22);磁隧道势垒(23),位于所述固定铁磁层(21)以及所述自由铁磁层(22)之间,包括由第一势垒层(41)、导电层(43)和第二势垒层(42)形成的双隧道势垒量子阱。 | ||
搜索关键词: | 磁电 随机 存储 单元 存储器 存取 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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