[发明专利]用于非易失性存储介质的减少次数的擦除验证在审
| 申请号： | 201880094774.1 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112313747A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 侯春源;K·梁;徐峻;李思 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张亚峰 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 存储阵列包括存储单元的多条字线，该存储单元的多条字线可以被选择性地充电到擦除电压或禁止电压。与存储阵列相关联的控制逻辑可以分阶段执行擦除验证。在第一次擦除验证上，控制逻辑可以将擦除块或子块的字线设置为第一擦除电压。在第二次擦除验证上，控制逻辑可以触发第二擦除脉冲并且将通过的字线设置为禁止电压，并且将失败字线设置为高于第一电压的第二擦除电压。禁止已经通过的字线可以减少字线之间的阈值电压差。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 非易失性 存储 介质 减少 次数 擦除 验证 | ||
【主权项】：
暂无信息
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